鑫唐電子多年營電解電容的經驗，為您講述一下多層陶瓷電容的發展。

對于電容而言，小型化和高容量是永恒不變的發展趨勢。其中，要數多層陶瓷電容（MLCC）的發展最快。

多層陶瓷電容在便攜產品中廣泛應用極為廣泛，但近年來數字產品的技術進步對其提出了新要求。例如，手機要求更高的傳輸速率和更高的性能；基帶處理 器要求高速度、低電壓；LCD 模塊要求低厚度（0.5mm）、大容量電容。而汽車環境的苛刻性對多層陶瓷電容更有特殊的要求：首先是耐高溫，放置于其中的多層陶瓷電容必須能滿足 150℃ 的工作溫度；其次是在電池電路上需要短路失 效保護設計。

也就是說，小型化、高速度和高性能、耐高溫條件、高可靠性已成為陶瓷電容的關鍵特性。

陶瓷電容的容量隨直流偏置電壓的變化而變化。直流偏置電壓降低了介電常數，因此需要從材料方面，降低介電常數對電壓的依賴，優化直流偏置電壓特性。
應用中較為常見的是 X7R（X5R）類多層陶瓷電容， 它的容量主要集中在1000pF以上，該類電容器主要性能指標是等效串聯電阻（ESR），在高波紋電流的電源去耦、濾波及低頻信號耦合電路的低功耗表現比較突出。

另一類多層陶瓷電容是C0G類，它的容量多在 1000pF 以下，該類電容器主要性能指標是損耗角正切值 tgδ（DF）。傳統的貴金屬電極（NME）的 C0G 產品 DF 值范圍是（2.0 ～ 8.0）× 10-4，而技術創新型賤金屬電極（BME）的C0G產品DF值范圍為 （1.0 ～ 2.5）×10-4，約是前者的31 ～ 50%。該類產品在載有T/R模塊電路的GSM、CDMA、無繩電話、藍牙、GPS系統中低功耗特性較為顯著。較多用于各種高頻電路，如振蕩/同步器、定時器電路等。